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화학수송법으로 성장한 $Cd_4GeSe_{6}$ 및 $Cd_{4}GeSe_{6}$ : $CO^{2+}$ 단결정에서 에너지 띠 간격의 온도의존성 및 열역학함수 추정
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저자명
김남오,김형곤,김덕태,현승철,오금곤
간행물명
전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문
권/호정보
2003년|52권 2호|pp.85-86 (2 pages)
발행정보
대한전기학회
파일정보
정기간행물|
PDF텍스트
주제분야
기타
이 논문은 한국과학기술정보연구원과 논문 연계를 통해 무료로 제공되는 원문입니다.
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기타언어초록

In this work $Cd_{4}GeSe_{6}$ and $Cd_{4}GeSe_{6}$ : $Co^{2+}$ single crystals were grown by the chemical transport reaction method and the structure of $Cd_{4}GeSe_{6}$ and $Cd_{4}GeSe_{6}$ : $Co^{2+}$ single crystals were monoclinic structure. The temperature dependence of optical energy 9ap was fitted well to Varshni equation. Also, the entropy, enthalpy and heat capacity were deduced from the temperature dependence of optical energy gap.