상부 칩과 하부 기판이 모두 Si으로 구성되어 있는 플립칩 패키지 시편을 제조하여 $130{~}160^{circ}C$의 온도 범위에서 $3{~}4{ imes}10^4 A/cm^2$의 전류밀도를 가하여 주면서 플립칩 본딩된 Sn-3.5Ag-0.5Cu 솔더범프의 electromigration 거동을 분석하였다. Sn-3.5Ag-0.5Cu 솔더범프의 cathode로부터 anode로의 electromigration에 의해 Cu UBM이 완전히 소모되어 cathode부위에서 void가 형성됨으로써 파괴가 발생하였다. Sn-3.5Ag-0.5Cu 솔더범프의 electromigration에 대한 활성화 에너지는 $3{ imes}10^4 A/cm^2$의 전류밀도에서는 0.61 eV, $3.5{ imes}10^4 A/cm^2$의 전류밀도에서는 0.63 eV, $4{ imes}10^4 A/cm^2$의 전류밀도에서는 0.77 eV로 측정되었다.
Electromigration of Sn-3.5Ag-0.5Cu solder bumps was investigated with current densities of $3{~}4{ imes}10^4 A/cm^2$ at temperatures of $130{~}160^{circ}C$ using flip chip specimens which consisted of upper Si chip and lower Si substrate. Electromigration failure of the Sn-3.5Ag-0.5Cu solder bump occurred with complete consumption of Cu UBM and void formation at cathode side of the solder bump. The activation energies for electromigration of the Sn-3.5Ag-0.5Cu solder bump were measured as 0.61 eV at current density of $3{ imes}10^4 A/cm^2$, 0.63 eV at $3.5{ imes}10^4 A/cm^2$, and 0.77 eV at $4{ imes}10^4 A/cm^2$, respectively.
