- 증착원자의 속력이 성장 지형에 미치는 영향
- ㆍ 저자명
- 서지근,심현석,김상현,Seo. J.,Shim. H.S.,Kim. S.H.
- ㆍ 간행물명
- 韓國眞空學會誌
- ㆍ 권/호정보
- 2012년|21권 2호|pp.86-92 (7 pages)
- ㆍ 발행정보
- 한국진공학회
- ㆍ 파일정보
- 정기간행물| PDF텍스트
- ㆍ 주제분야
- 기타
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기울어진 각도 증착(GLAD)에서 입사원자의 속력이 표면 지형에 미치는 영향 Molecular Dynamics와 결합한 Kinetic Monte Carlo 시뮬레이션을 통하여 증착원자의 속력이 증가함에 따라 거칠기가 줄어드는 완만한 표면이 형성되는 것을 확인하였다. GLAD 계산에서 증착원자 속력이 ${upsilon}_0$에서 $10{upsilon}_0$로 증가함에 따라 표면 지형을 대변하는 성장 지수 ${eta}$값은 0.97에서 0.67로 감소하였다. 화학증기증착(CVD) 방법과 같은 증착 방법에 대해서도 증착원자의 속력 의존성을 고찰하였다. GLAD에 비해 지수 ${eta}$값의 속력에 따른 차이는 적지만 CVD의 경우에도 증착원자의 속력이 표면 지형에 일정정도의 영향을 주는 것을 확인하였다.
We have studied the effect of speed of deposited atom on morphology evolution during Glancing Angle Deposition (GLAD). Using Kinetic Monte Carlo simulation that incorporate molecular dynamics simulations, we have shown that the rough surface morphology became smoother as the speed of deposited atom is increased. The growth exponent ${eta}$ change from 0.97 to 0.67 as the speed increase from ${upsilon}_0$ to $10{upsilon}_0$ in the case of GLAD. We also examined the effect of speed of deposited atom for the case of chemical vapor deposition (CVD) simulation. Compared to GLAD, the variation in scaling exponent ${eta}$ is small but the speed of deposited atom also have considerable effect on growth morpholgy in the case of CVD.