주제분류
자료유형
등재정보
발행기관
- 대한전자공학회(28)
- 한국통신학회(17)
- 한국전자파학회(15)
- 한국전기전자재료학회(11)
- 한국전자통신연구원(4)
- 한국해양정보통신학회(4)
- 한국전기전자학회(3)
- 한국항해항만학회(3)
- 한국재료학회(2)
- 한국전자통신학회(1)
- 한국진공학회(1)
- 한국항행학회(1)
간행물
- 한국전자파학회논문지(11)
- 한국통신학회논문지(10)
- 전자공학회논문지. JOUNNAL OF THE KOREA INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICS. A. A(8)
- 전기전자재료학회지= THE JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONIC MATERIAL ENGINEERS(6)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICS. D(5)
- 한국통신학회논문지. THE JOURNAL OF KOREA INFORMATION AND COMMUNICATIONS SOCIETY. 무선통신(5)
- JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE(4)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA. SD, 반도체(4)
- 전자파기술 : 한국전자파학회지(4)
- 한국해양정보통신학회논문지(4)
- 전기전자재료학회논문지(3)
- 전기전자학회논문지(3)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE INSTITUTE OF ELECTRONICS ENGINEERS OF KOREA. TC, 통신(3)
- 전자통신(3)
- 전기전자재료(2)
- 한국재료학회지(2)
- 한국항해항만학회지(2)
- 전자공학회논문지(1)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE KOREA INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICS. B(1)
- 전자공학회논문지. JOURNAL OF THE KOREAN INSTITUTE OF TELEMATICS AND ELECTRONICS. T(1)
- 전자공학회지(1)
- 전자통신동향분석(1)
- 한국전자통신학회 논문지(1)
- 한국진공학회지(1)
- 한국통신학회논문지. THE JOURNAL OF KOREA INFORMATION AND COMMUNICATIONS SOCIETY. 네트워크 및 서비스(1)
- 한국통신학회논문지. THE JOURNAL OF KOREA INFORMATION AND COMMUNICATIONS SOCIETY. 통신이론 및 시스템(1)
- 한국항해학회지(1)
- 한국항행학회논문지(1)
전체 선택해제
총 90건 검색
본문검색 결과만 보기
-
측정된 S-파라미터에서 MESFET과 HEMT의 기생 저항을 구하는 새로운 방법
임종식, 김병성, 남상욱 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 10 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2000, Vol.11 No.6 876-885 (10 pages)
방법에 의존하지 않고도, 정상적인 바이어스(Normal activebias) 조건에서 측정하 S-파라미터로부터 MESFET과 HEMT의 외부 기생 저항을 간단히 구할 수 있는 방법이 제시되었다. 이를 위해서 zero 바이어스 조건에서 측정한 Z-파라미터로부터 Rs와 Rd의 차이를 구할수 있다는 사실이 이용된다. 측정한 S-파라미터로부터 외부 기생 인덕터와 캐패시터의 효과를 제거하면, 내부 소자와 외부 기생 저항을 포함한 새로운 소자를 정의할 수 있다. 내부 소자의 Y-파라미터인 Yint,11과 Yint,12의 실수부 값이 이론적으로 0이라는 사실을 이용... -
2.4 GHz WLL 단말기용 GaAs MESFET MMIC 송신기 설계 및 제작
성진봉, 홍성용, 김민건, 김해천, 임종원, 이재진 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 9 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2000, Vol.11 No.1 84-92 (9 pages)
2.4 GHz 대역 WLL 단말기용 GaAs MESFET MMIC 송신기를 설계하고 제작하였다. 설계된 송신기는 이중 평형 능동형 혼합기와 전압 부궤환 구조를 갖는 2단 구동증폭기로 구성하였다. 특히, 한 쌍의 소스 접지-게이트 접지(Common-Source. Common -Gate: CSCG) 구조를 사용하여 IF 입력 선호의 비대칭성으로 인한 동작영역 감소를 보상하였다. 또한 MESFET의 단자간 위상 특성을 이용하여 국부 발진기(La) 신호의 누설 전력을 억제 하였다. 제작된 칩의 크기는 $0.75 imes1.75 mm^2$이었고 측정 결과 2.7 V. 55.2 mA에서 386 dB의 변환이득.... -
선형성이 우수한 GaAs MESFET 저항성 혼합기 설계
이상호, 김준수, 황충선, 박익모, 나극환, 신철재 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 11 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 1999, Vol.10 No.2 169-179 (11 pages)
논문에서는 선형성이 우수한 MIC형태의 GaAs MESFET 저항성 혼합기를 설계하였다. 설계된 저항성 혼합기는 채널저항을 이용하기 위해 게이트단에만 바이어스 전압을 인가하였으며 LO 신호를 게이트단에 입 력시키고 드레인단에는 LO- RF간의 적절한 격리도를 얻기 위하여 삽입된 7 -jXlle hairpin 대역통과 여파기를 통하여 RF 신호를 가하여서 소오스단에서 단락회로와 저역통과 여파기를 통해 IF 신호를 얻는 것이다 .. LO 신호와 RF 신호에 대한 간략화된 등가회로를 추출하여 변환손실을 계산하였으며 하모닉 발란스 해석의 결과 와... -
GaAs MESFET의 소오스 및 부하 임피던스가 선형성에 미치는 영향
안광호, 이승학, 정윤하 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 9 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 1999, Vol.10 No.5 663-671 (9 pages)
본 연구에서는 GaAs MESFET의 게이트-소오스 캐패시턴스($C_{gs}$)와 드레인-소오스 전류($I_{ds}$)의 비션형성에 의한 이득감소(Gain Compression) 및 위상왜곡(Phase Distortion)특성을 알아보고, 이를 최소화 할 수 있 는 소오스 및 부하 임피던스의 조건에 대해 조사하였다. 먼저 Volterra - Series 분석을 통하여, $C_{gs}(V_{gs})$와 $I_{ds}(V_{gs})$의 비선형특성을 조사하고, 각각의 비선형성분이 상호 소멸되는 소오스 및 부하 임피던스의 조건에서, 전체소자의 비선형성이 최소화 됨을 얄아보았다. 그리고 소오스 및... -
PCS 주파수 대역 단일 게이트 MESFET 혼합기의 제작
이성용, 임인성, 한상철, 류정기, 오승엽 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 9 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 1998, Vol.9 No.1 25-33 (9 pages)
본 논문은 PCS(개인 휴대 통신) 주파수대역에서의 단일게이트 MESFET 혼합기의 설계 및 제작에 대해 기 술하였다. 주파수 대역이 1965-2025 MHz이고 IF가 140 MHz인 PCS용 혼합기활 제작하기 위해 초고주파용 시율레이터 EESOF LIBRA를 이용하여 설계하였다. 정합회로로 사각 뱀돌이 인덕터, 평판형 캐패시터, 개방스 터브를 이용하였고 마이크로펜과 소자용접기를 사용하여 제작하였다. 실힘한 결과 w전력이 10 dBm일 때 혼합 기의 최대 변환이득은 $6.69pm0.65$ dB, 반사계수는 $-14.9pm3.5$ dB였고 LO /IF 분리도는 주파수가 1855... -
S-파라미터를 이용한 GaAs MESFET의 외부 파라미터 추출
조영송, 나극환, 박광호, 신철재 한국전자파학회 電磁波技術 : 韓國電磁波學會誌 8 Pages
한국전자파학회 電磁波技術 : 韓國電磁波學會誌 1991, Vol.2 No.2 30-37 (8 pages)
GaAs MESFET의 소신호 등가 모델에서 외부 푀로 성분들을 결정하는 개선된 방법을 제시하였다. 정화간 내부 회로 성분값들을 구하기 위하여 외부 회로 성분들을 제거하는 것이 중요하다. 전송선로를 포함한 기생 인덕터와 커패시터로 이루어지 ㄴ외부 회로를 정립하고, 산란 행렬로부터 이들의 값을 구한 후에 내부 회로 성분을 구하였다. 특히 기생 인덕턴스와 커패시턴스값들은 주파수에 따라 거의 일정한 변화를 보였다. -
고집적 GaAs 디지틀 집접회로 제작을 위한 Self-aligned MESFET 공정
양전욱, 심규환, 최영규, 조낙희, 박철순, 이경호, 이진희, 조경익, 강진영, 이용탁, Yang. Jeon-Uk, Shim. Kyu-Hwan, Choi. Young-Kyu, Cho. Lack-Hie, Park. Chul-Soon, Lee. Keong-Ho 한국전자통신연구원 전자통신 7 Pages
한국전자통신연구원 전자통신 1991, Vol.13 No.4 35-41 (7 pages)
구현하기 위한 소자로 WSi게이트 MESFET 공정을 연구하였으며, 이와 함께 TiPtAu 게이트 소자를 제작하였다. MESFET 의 제작은 내열성게이트를 이용한 자기정렬 이온주입 공정을 사용하였으며 주입된 Si 이온은 급속열처리 방법으로 활성화하였다. 또한 제작공정중 저항성 접촉의 형성은 절연막을 이용한 리프트 - 오프 공정을 이용하였다. 제작된 WSi게이트 MESFET은 $1mum$ 게이트인 경우 222mS/mm의 트랜스컨덕턴스를 나타내어 우수한 동작특성과 집적회로 공정의 적합성을 보였으며 이와 동등한 공정조건으로 제작된 TiPtAu 게이트... -
절연막을 이용한 자기정렬 이중 리세스 공정에 의한 전력 MESFET 소자의 제작
이종람, 윤광준, 맹성재, 이해권, 김도진, 강진영, 이용탁, Lee. Jong-Ram, Yoon. Kwang-Joon, Maeng. Sung-Jae, Lee. Hae-Gwon, Kim. Do-Jin, Kang. Jin-Yeong, Lee. Yong-T 한국전자통신연구원 전자통신 15 Pages
한국전자통신연구원 전자통신 1991, Vol.13 No.4 10-24 (15 pages)
수 있고, 동시에 소스-드레인 항복전압을 30V 까지 향상시킬 수 있었다. 소스-드레인 항복전압은 wide recess 폭이 증가함에 따라, 그리고 게이트 길이가 길어짐에 따라 증가하는 경향을 보여주었다. 이 방법으로 제작한 여러종류의 MESFET 중에서 게이트 길이가 $2mum$이고 소스-게이트 간격이 $3 mum$인 MESFET의 전기적 특성은 최대 트랜스컨덕턴스가 120 mS/mm, 게이트 전압이 0.8V 일 때 포화드레인전류가 170~190mA/mm로 나타났다. 제작된 MESFET이 ($NH_4$)$_2$$S_x$ 용액에 담금처리될때 , 공기중에 노출된 게이트-드레인 사이의... -
공통 게이트 회로로 구성된 MESFET 전치왜곡 선형화기
정성일, 김한석, 강정진, 이종악, Jeung. Seung-Il, Kim. Han-Suk, Kang. Jeung-Jin, Lee. Jong-Arc 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 8 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2000, Vol.4 No.2 241-248 (8 pages)
채널간의 상호 변조에 의한 왜곡성분이 주로 전력 증폭기의 비선형성에 의해 발생하는 CDMA 시스템에서는 선형 전력 증폭기를 필요로 하게 된다. 본 논문에서는 평형 MESFET 전치 왜곡 선형화기가 추가된 새로운 형태의 선형화 방법을 제안하였다. 제안된 선형화기는 한국 PCS주파수 대역에서 30dBm A급 전력 증폭기에 연결하여 시뮬레이션하였으며 실험 결과를 통하여 1dB 압축점은 2dBm, 상호변조왜곡은 12.5dBc정도 개선됨을 보였다.