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Phenomenological monte carlo simulation model for predicting B, $BF_2$, As, P and Si implant profiles in silicon-based semiconductor device
Kwon. Oh-Kuen, Son. Myung-Sik, Hwang. Ho-Jung 한국진공학회 The Journal of Korean vacuum science & technology 9 Pages
한국진공학회 The Journal of Korean vacuum science & technology 1999, Vol.3 No.1 1-9 (9 pages)
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Low Specific On-resistance SOI LDMOS Device with P+P-top Layer in the Drift Region
Yao. Jia-Fei, Guo. Yu-Feng, Xu. Guang-Ming, Hua. Ting-Ting, Lin. Hong, Xiao. Jian 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 9 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2014, Vol.14 No.5 673-681 (9 pages)
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Device Performances Related to Gate Leakage Current in Al2O3/AlGaN/GaN MISHFETs
Kim. Do-Kywn, Sindhuri. V., Kim. Dong-Seok, Jo. Young-Woo, Kang. Hee-Sung, Jang. Young-In, Kang. In Man, Bae. Youngho, Hahm. Sung-Ho, Lee 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 8 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2014, Vol.14 No.5 601-608 (8 pages)
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Analysis of Random Variations and Variation-Robust Advanced Device Structures
Nam. Hyohyun, Lee. Gyo Sub, Lee. Hyunjae, Park. In Jun, Shin. Changhwan 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 15 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2014, Vol.14 No.1 8-22 (15 pages)
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Development of sacrificial layer wet etch process of TiNi for nano-electro-mechanical device application
Park. Byung Kyu, Choi. Woo Young, Cho. Eou Sik, Cho. Il Hwan 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 5 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2013, Vol.13 No.4 410-414 (5 pages)
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Device and Circuit Level Performance Comparison of Tunnel FET Architectures and Impact of Heterogeneous Gate Dielectric
Narang. Rakhi, Saxena. Manoj, Gupta. R.S., Gupta. Mridula 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 13 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2013, Vol.13 No.3 224-236 (13 pages)
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Investigation of Frequency Dependent Sensitivity of Noise Figure on Device Parameters in 65 nm CMOS
Koo. Min-Suk, Jung. Hak-Chul, Jhon. Hee-Sauk, Park. Byung-Gook, Lee. Jong-Duk, Shin. Hyung-Cheol 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 6 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2009, Vol.9 No.1 61-66 (6 pages)
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Short Channel Analytical Model for High Electron Mobility Transistor to Obtain Higher Cut-Off Frequency Maintaining the Reliability of the Device
Gupta. Ritesh, Aggarwal. Sandeep Kumar, Gupta. Mridula, Gupta. R.S. 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 12 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2007, Vol.7 No.2 120-131 (12 pages)
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4H-SiC Planar MESFET for Microwave Power Device Applications
Na. Hoon-Joo, Jung. Sang-Yong, Moon. Jeong-Hyun, Yim. Jeong-Hyuk, Song. Ho-Keun, Lee. Jae-Bin, Kim. Hyeong-Joon 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 7 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2005, Vol.5 No.2 113-119 (7 pages)
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Device Characteristics of AlGaN/GaN MIS-HFET using $Al_2O_3$ Based High-k Dielectric
Park. Ki-Yeol, Cho. Hyun-Ick, Lee. Eun-Jin, Hahm. Sung-Ho, Lee. Jung-Hee 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 6 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2005, Vol.5 No.2 107-112 (6 pages)
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Device characterization and Fabrication Issues for Ferroelectric Gate Field Effect Transistor Device
Yu. Byoung-Gon, You. In-Kyu, Lee. Won-Jae, Ryu. Sang-Ouk, Kim. Kwi-Dong, Yoon. Sung-Min, Cho. Seong-Mok, Lee. Nam-Yeal, Shin. Woong-Chul 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 13 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2002, Vol.2 No.3 213-225 (13 pages)
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Novel Design Methodology using Automated Model Parameter Generation by Virtual Device Fabrication
Lee. Jun-Ha, Lee. Hoong-Joo 대한전기학회 KIEE international transactions on electrophysics and applications 4 Pages
대한전기학회 KIEE international transactions on electrophysics and applications 2005, No.0 14-17 (4 pages)
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Device Optimization of N-Channel MOSFETs with Lateral Asymmetric Channel Doping Profiles
Baek. Ki-Ju, Kim. Jun-Kyu, Kim. Yeong-Seuk, Na. Kee-Yeol 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 5 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2010, Vol.11 No.1 15-19 (5 pages)
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The Current Status and Future Outlook of Quantum Dot-Based Biosensors for Plant Virus Detection
한국식물병리학회 The Plant Pathology Journal 8 Pages
한국식물병리학회 The Plant Pathology Journal 2018, 34권 2호 1 85-92 (8 pages)
Enzyme-linked immunosorbent assay (ELISA) and polymerase chain reaction (PCR), widely used for the detection of plant viruses, are not easily performed, resulting in a demand for an innovative and more efficient diagnostic method. This paper summarizes the characteristics and research trends of biosensors focusing on the physicochemical properties of both interface elements and bioconjugates. In particular, the topological and photophysical properties of quantum dots (QDs) are discussed, along... -
전자현미경에 의한 산화 아연 박막의 성장에 관한 연구
정진(Jin Jeong) 인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 8 Pages
인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 2018, 제 8권 제 7호 49 497-504 (8 pages)
박막은 제조 장비와 박막 초기 생성 조건에 따라서 다양한 입자의 형상을 가질 수 있다. 제조된 박막 입자의 크기는 작게는 수 나노미터부터 수십 마이크로미터 까지 다양하게 성장이 되어 진다. 박막의 생성은 온도조건, 증착시간, 유입되는 가스의 양, 그리고 박막을 만드는 공간의 진공상태가 입자의 형상을 각진 모습부터 둥근 형태등의 형상을 만들 수 있다. 본 연구에서는 스퍼터내 내부 환경을 변화시킨 후 실리콘 금속기판과 유리 기판위에 산화아연을 성장시켜서 박막의 입자 성장이 어떻게 변화되는가를 관찰 하였다. 성장된... -
열차운행 안정화를 위한 주회로 기기의 고조파 제한장치 개발에 관한 연구
김성준, 채은경, 강정원 인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 9 Pages
인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 2018, 제 8권 제 6호 80 853-861 (9 pages)
본 논문에서는 전기철도차량이 운행할 때 이상 전압상승에 의한 문제점을 해결할 수 있는 고조파 제한장치의 적용을 제안한다. 운행 중 열차에 전력을 공급하는 교류가선은 25kV/60Hz의 전기를 공급하기 위하여 사용되지만 철도차량 전기장치의 기술발전에 따라 점차 가선에 포함되는 고조파의 크기 및 주파수의 변형이 다양해지고 있다. 최근 열차안전운행에 심각한 문제가 되고 있는 주회로 기기인 계기용변압기(Potential Transformer, PT)의 파손이나 주변압기 등의 열손증가는 가선 전원의 고조파로 인한 순간적인 무효전류의 증가로... -
사물인터넷에서의 디바이스 보안 및 취약점 대응 방안 분석
김정태 인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 10 Pages
인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 2017, 제 7권 제 10호 75 817-826 (10 pages)
최근 들어 반도체 기술의 집적도가 높아짐에 따라 고성능의 SoC 칩을 단일 칩으로 구현가능하게 되었다. 또한 기존의 유무선망이 통합되는 시스템으로 전개되고 있으며 사물 인터넷이라는 개념을 가 져오게 되었다. 사물인터넷 통신은 다양한 종류의 디바이스들과 이기종으로 복잡하게 연결되어 있다. 이러한 사물인터넷 통신의 통합으로 인하여 인간의 생활에 다양한 변화를 가져오게 되었다. 그러나 이러한 사물인터넷 망을 이용할 경우 센서 노드에서의 저용량의 메모리 공간, 낮은 컴퓨팅 능력, 저 전력 등의 하드웨어적인 제한... -
Implementation Of 802.15.4 Wireless Sensor Network in Real-time Monitoring and Control System for GreenHouse
Jaypal Baviskar, Afshan Mulla, , Amol Baviskar, Jeet Desai 인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 19 Pages
인문사회과학기술융합학회 예술인문사회융합멀티미디어논문지 2015, 제 5권 제 5호 10 87-105 (19 pages)
In order to meet the increasing need for quality conscience crops and to utilize the resources efficiently, the concept of Greenhouse was introduced. It assists in accurate monitoring and controlling of various parameters, in order to nurture healthy crops. In this paper efforts are made to acknowledge the problems associated with maintaining precise environmental conditions, and to implement a sophisticated system to supervise the real-time monitoring and controlling operation inside the... -
Progressive Fabrication of Graphene and their Potential Applications
Won-Chun Oh 한국열환경공학회 한국열환경공학회 학술대회지 1 Pages
한국열환경공학회 한국열환경공학회 학술대회지 2017년 춘계 19 180-180 (1 pages)
reported that bare graphene, graphene oxide with new synthesis methods or the combination with other semiconductor materials can be used as catalyst materials. We examined the photocatalytic activity and catalytic recyclability with some kinds of semiconductor/graphene (binary type) or semiconductor/graphene-TiO2(ternarytype) nanocompositesfabricatedwithmodifiedchemicalandphysicalmethods.The prepared composites were characterized by some kinds of spectroscopic techniques including transmission... -
Thermoelectric Seebeck and Peltier effects of single walled carbon nanotube quantum dot nanodevice
H. A. El-Demsisy, M. D. Asham, D. S. Louis, A. H. Phillips 한국탄소학회 Carbon Letters 8 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters 2017, Vol.21 2 8-15 (8 pages)
in the terahertz (THz) range. This device is modeled as a SWCNT quantum dot connected to metallic leads. These two metallic leads operate as a source and a drain. In this three-terminal device, the conducting substance is the gate electrode. Another metallic gate is used to govern the electrostatics and the switching of the carbon nanotube channel. The substances at the carbon nanotube quantum dot/ metal contact are controlled by the back gate. Results show that both the Seebeck and Peltier... -
Contact resistance in graphene channel transistors
Seung Min Song, Byung Jin Cho 한국탄소학회 Carbon Letters 9 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters 2013, Vol.14 No.3 4 162-170 (9 pages)
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Graphene growth from polymers
Hong-Kyu Seo, Tae-Woo Lee 한국탄소학회 Carbon Letters 7 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters 2013, Vol.14 No.3 2 145-151 (7 pages)
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Carbon nanotubes–properties and applications
Khalid Saeed Ibrahim 한국탄소학회 Carbon Letters 14 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters 2013, Vol.14 No.3 1 131-144 (14 pages)
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High Power Electric Double Layer Capacitor(EDLC's)
M.Endo, T.Takeda, Y.j.Kim 한국탄소학회 Carbon Letters 12 Pages
한국탄소학회 Carbon Letters Vol.1 No.3&4 1 117-128 (12 pages)
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나노기술과 해양용 센서 개발에 관한 연구
한송희, 조병기, Han. Song-Hee, Cho. Beong-Ki 해양환경안전학회 海洋環境安全學會誌 5 Pages
해양환경안전학회 海洋環境安全學會誌 2008, Vol.14 No.1 39-43 (5 pages)
해양환경 오염에 대한 관심이 많아지면서 해양환경 인자에 대한 감시가 그 중요성을 더해 가고 있다. 지금까지는 이에 대한 감지를 위한 센서의 부재로 인하여 해수를 채취하여 실험실에서 고가의 장비를 이용하여 분석하여 왔다. 이는 해양의 실시간 감시가 어려울 뿐 아니라 급변하는 해양 상태를 정확하게 파악하기 어려운 면이 있어왔다. 이러한 단점을 보완하기위해서 나노기술을 이용한 해양용 센서 개발이 시급히 요구되는 바 이에 대한 기술적인 분야와 특징 및 타당성을 검토하였다 현재 기술적으로 개발이 가능하고 국제적으로... -
고속 카메라 기술 동향
박두진, 노영환, 김태형, 이효근, Park. Doo-Jin, Noh. Young-Hwan, Kim. Tae-Hyung, Lee. Hyo-Keun 한국항공우주연구원 항공우주산업기술동향 8 Pages
한국항공우주연구원 항공우주산업기술동향 2008, Vol.6 No.2 125-132 (8 pages)
빨리 이동하는 피사체의 움직임을 상세히 분석하기 위해서는 고속 카메라가 필수 불가결하다. 본 논문에서는 고속 필름 카메라와 고속 디지털 카메라의 기본개념, 역사적 배경 및 향후 고속 카메라의 동향을 기술 하고자 한다. 또한 해외 및 국내 고속 카메라의 사용현황과 나로 우주센터에서 사용될 고속 카메라의 운용계획을 기술 하고자 한다.
