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공통 게이트 MESFET를 이용한 전치왜곡 선형화기 설계에 관한 연구
김갑기 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 5 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2003, Vol.7 No.7 1369-1373 (5 pages)
전력증폭기의 비선형성에 의해 채널간의 상호 변조 왜곡성분이 주로 발생하는 CDMA 시스템에서는 선형 전력증폭기가 요구된다. 본 논문에서는 평형 MESFET 전치왜곡 선형화기가 추가된 형태의 선형 전력증폭기를 통한 선형화 방법을 제안하였다. 제안된 선형화기는 한국 PCS주파수 대역에서 G1㏈가 12.1㏈이고 P1㏈가 30㏈m인 A급 전력증폭기에 연결하여 시뮬레이션 하였다. 종단전력증폭기에 1850MHz와 1851.23MHz의 2-tone 신호를 인가한 결과 3차 혼변조가 약 22㏈ 개선되었다. -
저잡음 GaAs MESFET의 최적화 설계를 위한 파라미터 추출
한국항해항만학회 韓國航海學會誌 1992, Vol.16 No.3 65-76 (12 pages)
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GaAs MESFET을 이용한 MMIC SPST 스위치 설계
이명규, 윤경식, 형창희, 김해천, 박철순 한국통신학회 한국통신학회논문지. The Journal of Korea Information and Communications Society. 통신이론 및 시스템 9 Pages
한국통신학회 한국통신학회논문지. The Journal of Korea Information and Communications Society. 통신이론 및 시스템 2002, Vol.27 371-379 (9 pages)
본 논문에서는 동작주파수 범위가 DC에서부터 3GHz인 MMIC SPST(Single Pole Single Throw) 스위치를 설계 및 제작하였다. 스위치 회로 설계에 앞서 성능을 정확히 예측하기 위하여 스위치 소자의 소신호 및 대신호 모델이 필요하며, 새로이 제안된 스위치 소자의 소신호 등가회로 모델 파라미터들은 측정된 5-파라미터로부터 최적화 기법을 사용하여 추출하였다. 이때 예측된 초기값과 경계구간을 사용함으로써 최적화 기법이 가지고 있는 문제점을 보완하였다. 대신호 모델은 측정된 DC 데이터로부터 경험식의 파라미터들을... -
GaAs MESFET를 이용한 ISM 대역 MMIC SPDT 스위치 설계
박훈, 윤경식, 지홍구, 김해천, Park. Hun, Yun. Kyung-Sik, Ji. Hong-Koo, Kim. Hae-Cheon 한국통신학회 한국통신학회논문지. The journal of Korea Information and Communications Society. 무선통신 6 Pages
한국통신학회 한국통신학회논문지. The journal of Korea Information and Communications Society. 무선통신 2003, Vol.28 179-184 (6 pages)
MMIC SPDT 스위치를 제안하였으며, 이를 ETRI에서 지원하는 IDEC MPW의 0.5㎛ GaAs MESFET으로 제작하였다. 이 SPDT 스위치 수신경로의 삽입손실은 3GHz에서 1.518dB, 5.75GHz에서 1.777dB이고, 격리도는 3GHz에서 38.474dB, 5.75GHz에서 29.125dB로 측정되었다. 그리고, 송신경로의 삽입손실은 3GHz에서 0.961dB, 5.75GHz에서 1.162dB이고, 격리도는 3GHz에서 23.259dB, 5.75GHz에서 16.632dB였다. 비대칭구조의 스위치는 대칭구조에 비하여 수신경로의 격리도가 3GHz에서 15.9dB, 5.75GHz에서 11.9dB 정도 개선되었으며, 삽입손실은 약... -
단순화한 GaAs MESFET 주파수 혼합기에서 바이어스와 발진신호에 대한 IMR의 고찰
류연국, 허균, 홍의석 한국통신학회 한국통신학회논문지 7 Pages
한국통신학회 한국통신학회논문지 1994, Vol.19 No.8 1571-1577 (7 pages)
본 논문은 상향 주파수 변환에 의한 12GHz/14GHz의 주파수혼합기를 설계 구현하였다. 두 입력신호의 전력레벨 및 바이어스에 의한 고조파 및 상호변조 전력레벨의 변화를 고찰, 이를 이용하여 전력레벨의 상호변조(Intermodulation ratio : IMR)비를 얻어 구현된 주파수혼합기의 정확한 동작조건을 보였다. 결과적으로 얻은 최적의 동작조건은 신호의 전력레벨이 -30[dBm]이하이며, 국부발진 전력레벨은 -2[dBm]이하였다. 그때의 바이어스 조건은 $V_{DS}$ 가 2.7[V]이며, $V_{GS}$는 -0.2[V]였다. -
갈륨비소 MESFET를 이용한 고이득 연산 증폭기의 입력단 설계
김학선, 김은노, 이형재 한국통신학회 한국통신학회논문지 12 Pages
한국통신학회 한국통신학회논문지 1992, Vol.17 No.1 68-79 (12 pages)
고속 아날로그 시스템,위성통신시스템, video signal processing 및 processing 및 optical fiber interface 회로등에서 높은 전자이동도로 인하여 고주파 툭성이 우수한 GaAs 연산 증폭기는 필수적인 구성 요소이다. 하지만, 낮은 전달컨덕턱스 및 low frequency dispersion등의 현상 때문에 높은 전압이득을 얻을 수 없다는 단점을 가지고 있다. 따라서 본 논문에서는 GaAs MESFETfmf 이용한 증폭기의 이득을 증가시키기 위한 기법을 비교분석하고 기존의 전류미러와 새로운 구성의 전류 미러를 설계하여 회로의 안정화를 꾀하였다.... -
InGaAs APD/GaAs MESFET를 이용한 광 수신 전치증폭기의 설계
이영철, 신철재 한국통신학회 한국통신학회논문지 13 Pages
한국통신학회 한국통신학회논문지 1991, Vol.16 No.11 1071-1083 (13 pages)
본 논문에서는 InGaAs APD와 GaAs MESFET를 이용하여 광 수신 전치증폭기의 설계와 제작에 대하여 논의 하였다. 3단 전달 임피던스형 광 수신 전치 증폭기에 대하여 분석하였으며 마이크로스트립을 이용하여 실현 시켰다. 실현된 광수 신전치 증폭기의 성능을 컴퓨터 시뮬레이션에 의하여 예측할 수 있었으며 이론값을 실험한 결과와 비교하였다. 설계 제작한 혼합 마이크로파 집적회로 형태의 광 수신 전치 증폭기는 대역폭이 380MHz이었으며 565Mb/s, $BER10^9$에서 수신기의 감도는 -40.6dBm을 보였다. -
GaAs MESFET 모델 매개변수 추출에 관한 연구
박의준, 박진우 한국통신학회 한국통신학회논문지 12 Pages
한국통신학회 한국통신학회논문지 1991, Vol.16 No.7 628-639 (12 pages)
GaAs MESFET 모델의 정확한 매채변수 값을 구하기 위하여 바이어스 의존성을 바탕으로 3가지 바이어스 변화에 대한 S-,파라미터 측정만으로 모델 매개변수를 추출할 수 있는 새로운 계산 방법을 제시한다. Weighted Broyden update방법의 최적화 과정에서 얻어지는 오차 함수에 대한 매개 변수의 검토를 이용하여 전형 및 비전형 매개 변수의 유일해를 결정한다. 제안된 방법을 적용하기 위해 Marterka & Kacprzak 모델을 사용하였으며 추출한 매개변수 값의 정당성을 측정치와 비교함으로서 입증하였다. -
Modified Materka Model를 이용한 4H-SiC MESFET 대신호 모델링
이수웅, 송남진, 범진욱 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 9 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2001, Vol.12 No.6 890-898 (9 pages)
Modified Materka-Kacprzak 대신호 MESFET(Metal Semiconductor Field Effect Transistor) model을 사용하여 4H-SiC MESFET의 대신호 모델링을 수행하였다. Silvaco사의 소자 시뮬레이터인 ATLAS를 사용하여 4H-SiC MESFET 소자 시뮬레이션을 수행하고, 이 결과를 modified Materka 대신호 모델을 사용하여 모델링 하였다. 시뮬레이션 및 모델링 결과는 -8 V의 pinch off 전압과 $V_{GS}$ =0 V, $V_{DS}$ =25 V에서 $I_{DSS}$270 mA/mm, $G_{m}$ =52.8 ms/mm를 얻을 수 있었고, 전력 특성 시뮬레이션을 통해 2GHz, $V_{GS}$ =-4V,... -
측정된 S-파라미터에서 MESFET과 HEMT의 기생 저항을 구하는 새로운 방법
임종식, 김병성, 남상욱 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 10 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2000, Vol.11 No.6 876-885 (10 pages)
방법에 의존하지 않고도, 정상적인 바이어스(Normal activebias) 조건에서 측정하 S-파라미터로부터 MESFET과 HEMT의 외부 기생 저항을 간단히 구할 수 있는 방법이 제시되었다. 이를 위해서 zero 바이어스 조건에서 측정한 Z-파라미터로부터 Rs와 Rd의 차이를 구할수 있다는 사실이 이용된다. 측정한 S-파라미터로부터 외부 기생 인덕터와 캐패시터의 효과를 제거하면, 내부 소자와 외부 기생 저항을 포함한 새로운 소자를 정의할 수 있다. 내부 소자의 Y-파라미터인 Yint,11과 Yint,12의 실수부 값이 이론적으로 0이라는 사실을 이용... -
2.4 GHz WLL 단말기용 GaAs MESFET MMIC 송신기 설계 및 제작
성진봉, 홍성용, 김민건, 김해천, 임종원, 이재진 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 9 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 2000, Vol.11 No.1 84-92 (9 pages)
2.4 GHz 대역 WLL 단말기용 GaAs MESFET MMIC 송신기를 설계하고 제작하였다. 설계된 송신기는 이중 평형 능동형 혼합기와 전압 부궤환 구조를 갖는 2단 구동증폭기로 구성하였다. 특히, 한 쌍의 소스 접지-게이트 접지(Common-Source. Common -Gate: CSCG) 구조를 사용하여 IF 입력 선호의 비대칭성으로 인한 동작영역 감소를 보상하였다. 또한 MESFET의 단자간 위상 특성을 이용하여 국부 발진기(La) 신호의 누설 전력을 억제 하였다. 제작된 칩의 크기는 $0.75 imes1.75 mm^2$이었고 측정 결과 2.7 V. 55.2 mA에서 386 dB의 변환이득.... -
선형성이 우수한 GaAs MESFET 저항성 혼합기 설계
이상호, 김준수, 황충선, 박익모, 나극환, 신철재 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 11 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 1999, Vol.10 No.2 169-179 (11 pages)
논문에서는 선형성이 우수한 MIC형태의 GaAs MESFET 저항성 혼합기를 설계하였다. 설계된 저항성 혼합기는 채널저항을 이용하기 위해 게이트단에만 바이어스 전압을 인가하였으며 LO 신호를 게이트단에 입 력시키고 드레인단에는 LO- RF간의 적절한 격리도를 얻기 위하여 삽입된 7 -jXlle hairpin 대역통과 여파기를 통하여 RF 신호를 가하여서 소오스단에서 단락회로와 저역통과 여파기를 통해 IF 신호를 얻는 것이다 .. LO 신호와 RF 신호에 대한 간략화된 등가회로를 추출하여 변환손실을 계산하였으며 하모닉 발란스 해석의 결과 와... -
GaAs MESFET의 소오스 및 부하 임피던스가 선형성에 미치는 영향
안광호, 이승학, 정윤하 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 9 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 1999, Vol.10 No.5 663-671 (9 pages)
본 연구에서는 GaAs MESFET의 게이트-소오스 캐패시턴스($C_{gs}$)와 드레인-소오스 전류($I_{ds}$)의 비션형성에 의한 이득감소(Gain Compression) 및 위상왜곡(Phase Distortion)특성을 알아보고, 이를 최소화 할 수 있 는 소오스 및 부하 임피던스의 조건에 대해 조사하였다. 먼저 Volterra - Series 분석을 통하여, $C_{gs}(V_{gs})$와 $I_{ds}(V_{gs})$의 비선형특성을 조사하고, 각각의 비선형성분이 상호 소멸되는 소오스 및 부하 임피던스의 조건에서, 전체소자의 비선형성이 최소화 됨을 얄아보았다. 그리고 소오스 및... -
PCS 주파수 대역 단일 게이트 MESFET 혼합기의 제작
이성용, 임인성, 한상철, 류정기, 오승엽 한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 9 Pages
한국전자파학회 韓國電磁波學會論文誌 1998, Vol.9 No.1 25-33 (9 pages)
본 논문은 PCS(개인 휴대 통신) 주파수대역에서의 단일게이트 MESFET 혼합기의 설계 및 제작에 대해 기 술하였다. 주파수 대역이 1965-2025 MHz이고 IF가 140 MHz인 PCS용 혼합기활 제작하기 위해 초고주파용 시율레이터 EESOF LIBRA를 이용하여 설계하였다. 정합회로로 사각 뱀돌이 인덕터, 평판형 캐패시터, 개방스 터브를 이용하였고 마이크로펜과 소자용접기를 사용하여 제작하였다. 실힘한 결과 w전력이 10 dBm일 때 혼합 기의 최대 변환이득은 $6.69pm0.65$ dB, 반사계수는 $-14.9pm3.5$ dB였고 LO /IF 분리도는 주파수가 1855... -
S-파라미터를 이용한 GaAs MESFET의 외부 파라미터 추출
조영송, 나극환, 박광호, 신철재 한국전자파학회 電磁波技術 : 韓國電磁波學會誌 8 Pages
한국전자파학회 電磁波技術 : 韓國電磁波學會誌 1991, Vol.2 No.2 30-37 (8 pages)
GaAs MESFET의 소신호 등가 모델에서 외부 푀로 성분들을 결정하는 개선된 방법을 제시하였다. 정화간 내부 회로 성분값들을 구하기 위하여 외부 회로 성분들을 제거하는 것이 중요하다. 전송선로를 포함한 기생 인덕터와 커패시터로 이루어지 ㄴ외부 회로를 정립하고, 산란 행렬로부터 이들의 값을 구한 후에 내부 회로 성분을 구하였다. 특히 기생 인덕턴스와 커패시턴스값들은 주파수에 따라 거의 일정한 변화를 보였다. -
고집적 GaAs 디지틀 집접회로 제작을 위한 Self-aligned MESFET 공정
양전욱, 심규환, 최영규, 조낙희, 박철순, 이경호, 이진희, 조경익, 강진영, 이용탁, Yang. Jeon-Uk, Shim. Kyu-Hwan, Choi. Young-Kyu, Cho. Lack-Hie, Park. Chul-Soon, Lee. Keong-Ho 한국전자통신연구원 전자통신 7 Pages
한국전자통신연구원 전자통신 1991, Vol.13 No.4 35-41 (7 pages)
구현하기 위한 소자로 WSi게이트 MESFET 공정을 연구하였으며, 이와 함께 TiPtAu 게이트 소자를 제작하였다. MESFET 의 제작은 내열성게이트를 이용한 자기정렬 이온주입 공정을 사용하였으며 주입된 Si 이온은 급속열처리 방법으로 활성화하였다. 또한 제작공정중 저항성 접촉의 형성은 절연막을 이용한 리프트 - 오프 공정을 이용하였다. 제작된 WSi게이트 MESFET은 $1mum$ 게이트인 경우 222mS/mm의 트랜스컨덕턴스를 나타내어 우수한 동작특성과 집적회로 공정의 적합성을 보였으며 이와 동등한 공정조건으로 제작된 TiPtAu 게이트... -
절연막을 이용한 자기정렬 이중 리세스 공정에 의한 전력 MESFET 소자의 제작
이종람, 윤광준, 맹성재, 이해권, 김도진, 강진영, 이용탁, Lee. Jong-Ram, Yoon. Kwang-Joon, Maeng. Sung-Jae, Lee. Hae-Gwon, Kim. Do-Jin, Kang. Jin-Yeong, Lee. Yong-T 한국전자통신연구원 전자통신 15 Pages
한국전자통신연구원 전자통신 1991, Vol.13 No.4 10-24 (15 pages)
수 있고, 동시에 소스-드레인 항복전압을 30V 까지 향상시킬 수 있었다. 소스-드레인 항복전압은 wide recess 폭이 증가함에 따라, 그리고 게이트 길이가 길어짐에 따라 증가하는 경향을 보여주었다. 이 방법으로 제작한 여러종류의 MESFET 중에서 게이트 길이가 $2mum$이고 소스-게이트 간격이 $3 mum$인 MESFET의 전기적 특성은 최대 트랜스컨덕턴스가 120 mS/mm, 게이트 전압이 0.8V 일 때 포화드레인전류가 170~190mA/mm로 나타났다. 제작된 MESFET이 ($NH_4$)$_2$$S_x$ 용액에 담금처리될때 , 공기중에 노출된 게이트-드레인 사이의... -
공통 게이트 회로로 구성된 MESFET 전치왜곡 선형화기
정성일, 김한석, 강정진, 이종악, Jeung. Seung-Il, Kim. Han-Suk, Kang. Jeung-Jin, Lee. Jong-Arc 한국전기전자학회 전기전자학회논문지 8 Pages
한국전기전자학회 전기전자학회논문지 2000, Vol.4 No.2 241-248 (8 pages)
채널간의 상호 변조에 의한 왜곡성분이 주로 전력 증폭기의 비선형성에 의해 발생하는 CDMA 시스템에서는 선형 전력 증폭기를 필요로 하게 된다. 본 논문에서는 평형 MESFET 전치 왜곡 선형화기가 추가된 새로운 형태의 선형화 방법을 제안하였다. 제안된 선형화기는 한국 PCS주파수 대역에서 30dBm A급 전력 증폭기에 연결하여 시뮬레이션하였으며 실험 결과를 통하여 1dB 압축점은 2dBm, 상호변조왜곡은 12.5dBc정도 개선됨을 보였다. -
Short Channel GaAs MESFET의 채널전하분포와 채널전하에 의한 전위장벽의 변화
원창섭, 이명수, 류세환, 한득영, 안형근, Sub. Won-Chang, Lee. Myung-Soo, Ryu. Se-Hwan, Han. Deuk-Young, Ahn. Hyung-Keun 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 7 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2006, Vol.19 No.9 793-799 (7 pages)
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GaAs MESFET의 정전용량에 관한 특성 연구
박지홍, 원창섭, 안형근, 한득영 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 2000, Vol.13 No.11 895-900 (6 pages)
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III-V족 화합물 반도체 MESFET 연구동향
서동현, 김남영, 김종헌 한국전기전자재료학회 전기전자재료 6 Pages
한국전기전자재료학회 전기전자재료 1998, Vol.11 No.8 26-31 (6 pages)
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Ti/Au, Ti/Pd/Au 쇼트키 접촉의 열처리에 따른 GaAs MESFET의 전기적 특성
남춘우 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 8 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1995, Vol.8 No.1 56-63 (8 pages)
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GaAs MESFET의 파괴특성 향상을 위한 recess게이트 구조
장윤영, 송정근 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 7 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1994, Vol.7 No.5 376-382 (7 pages)
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Al, Au 쇼트키 접촉의 열처리에 따른 GaAs MESFET의 전기적 특성
남춘우, 박창엽 한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 8 Pages
한국전기전자재료학회 電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 1993, Vol.6 No.6 545-552 (8 pages)
게이트 MESFET를 제작하여 열처리에 따른 쇼트키 계면에서의 상호확산 상태와 그에 따른 쇼트키 접촉특성 및 MESFET의 전기적 특성을 조사하였다. Al 및 Au 쇼트키 계면의 상호확산은 as-deposited 상태에서도 나타났으며 열처리 온도가 증가함에 따라 상호확산의 정도는 Au 접촉이 Al 접촉보다 컸다. 특히 Au 접촉에서 Ga의 외부확산이 현저했다 .Al 및 Au 게이트에 있어서 공통적으로 열처리 온도 증가에 따라 포화드레인 전류와 핀치오프 전압은 감소하였고 개방채널 저항은 증가하였으며 변화폭은 Au 게이트가 Al 게이트보다 컸다. Al... -
Recessed-gate 4H-SiC MESFET의 DC특성에 관한 연구
박승욱, 황웅준, 신무환, Park. Seung-Wook, Hwang. Ung-Jun, Shin. Moo-Whan 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2003, Vol.13 No.1 11-17 (7 pages)
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Control Volume Formulation Method를 사용한 GaAs MESFET의 2차원 수치해석
손상희, 박광민, 박형무, 김한구, 김형래, 박장우, 곽계달, Son. Sang-Hee, Park. Kwang-Mean, Park. Hyung-Moo, Kim. Han-Gu, Kim. Hyeong-Rae, Park. Jang-Woo, Kwack. Kae 대한전자공학회 전자공학회논문지 14 Pages
대한전자공학회 전자공학회논문지 1989, Vol.26 No.1 48-61 (14 pages)
0.7${mu}m$인 n형 GaAs MESFET를 2차원적으로 수치 해석하였으며, 이동도를 국부 전계의 함수로 취하는 드리프트 -확산 모델을 사용하였다. 이산화 방법으로는 종래에 사용되던 FDM(finite difference method), FEM(finite element method)을 사용치 아낳고 Control-Volume Formulation을 사용하였으며, numerical scheme으로는 기존의 hybrid scheme이나 upwind scheme 대신에 exponential scheme과 거의 근사한 power-law scheme을 사용하였다. 이때 드리프트 속도와 확산 속도의 비율을 나타내는 Peclet number의 개념을 사용하였으며,... -
채널길이변조를 이용한 GaAs MESFET 모델
이상흥, 이기준 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. T 8 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. T 1998, No.0 14-21 (8 pages)
GaAs MESFET는 동작점에 따라 선형영역, 포화영역으로 구분된 모델을 사용함에 따라, GaAs MESFET 회로 해석을 위한 컴퓨터 시뮬레이션 시 영역의 경계점에서의 1차 및 2차 미분 불연속으로 인한 해의 발산 문제가 발생하곤 하였다. 본 논문에서는 선형영역과 포화영역을 모두 포함한 통합된 채널길이변조식을 제안하였다. 새로이 제안된 채널길이변조식을 이용하여 전류-전압 모델과 커패시턴스-전압 모델을 제안하였다. 제안된 전류-전압 모델은 Shur의 모델과 비교하였으며 제안된 커패시턴스-전압 모델은 디바이스 시뮬레이션 결과와... -
$delta$도핑과 SiGe을 이용한 p 채널 MESFET의 포화 전류 증가
이찬호, 김동명 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 1999, No.0 86-92 (7 pages)
p형 전계 효과 트랜지스터의 전류 구동 능력 향상을 위하여 이중 δ도핑층을 이용한 MESFET을 설계하고 시뮬레이션을 통하여 전기적 특성의 개선을 확인하였다. 두 δ도핑층 사이의 도핑 농도가 낮은 분리층에 SiGe층을 위치시키면 양자 우물이 형성되어 δ도핑층에서 넘쳐 나온 정공이 Si 채널의 경우보다 더 많아져 전류 구동 능력이 크게 향상된다. δ도핑층 사이의 SiGe층의 두께는 0∼300Å, Ge 구성비는 0∼30%의 범위에서 변화시켜 SiGe 두께 200Å, Ge 구성비 30%일 때 이중 δ도핑 Si 채널 MESFET에 비해 최대 45% 이상 개선될... -
선택적 Si 확산을 이용한 저저항층을 갖는 이온주입 GaAs MESFET
양전욱 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 7 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D 1999, No.0 41-47 (7 pages)
드레인 영역은 950°C, 30초의 열처리에 의해 Si 확산층이 표면에서부터 350Å두께로 형성되어 확산층이 없을 때 1000Ω/sq.정도였던 면저항이 400Ω/sq.로 내외로 감소하였다. 고농도로 확산된 Si은 AuGe/Ni/Au와 GaAs 기판 사이의 저항성 접촉 특성을 2.5×10sub -6Ω-cmsup 2로부터 1.5×10sup -6Ω-cmsup 2로 개선시켰다. 제작된 lum게이트 길이의 확산층을 갖는 MESFET는 최대 트랜스컨덕턴스가 260mS/mm 이었으며, 이득과 최소잡음지수는 12GHz에서 각각 8.5dB와 3.57dB를 나타내 같이 제작된 표면 확산 층이 없는 MESFET에 비해... -
Short-gate SOI MESFET의 문턱 전압 표현 식 도출을 위한 해석적 모델
갈진하, 서정하, Kal. Jin-Ha, Suh. Chung-Ha 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 8 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2008, Vol.45 No.7 9-16 (8 pages)
SOI MESFET의 문턱전압 도출을 위한 간단한 해석적 모델을 제시하였다. 완전 공핍된 실리콘 채널 영역에서는 2차원 Poisson 방정식을, buried oxide 영역에서는 2차원 Laplace 방정식을 반복법(iteration method)을 이용해 풀어 각 영역 내에서의 전위 분포를 채널에 수직한 방향의 좌표에 대해 5차 다항식으로 표현하였으며 채널 바닥 전위를 구하였다. 채널 바닥 전위의 최소치가 0이 되는 게이트 전압을 문턱 전압으로 제안하여 closed-form의 문턱 전압 식을 도출하였다. 도출된 문턱 전압 표현 식을 모의 실험한 결과, 소자의 구조... -
단 채널 GaAs MESFET의 속도 포화영역에서 2차원 전위 도출을 위한 해석적 모델
오영해, 장은성, 양진석, 최수홍, 갈진하, 한원진, 홍순석, Oh. Young-Hae, Jang. Eun-Sung, Yang. Jin-Seok, Choi. Soo-Hong, Kal. Jin-Ha, Han. Won-Jin, Hong. Sun-Suck 대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 8 Pages
대한전자공학회 電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체 2008, Vol.45 No.11 21-28 (8 pages)
단 채널 GaAs MESFET의 포화영역에서의 I-V 특성을 도출하기 위한 해석적 모델을 제안하였다. 기존의 단 채널 GaAs MESFET에 대한 해석이 채널 pinch-off의 개념이 도입되는 모델이었던 반면, 본 논문에서는 저자의 소도 포화 영역이 유한한 채널 폭을 갖으면서 전류 연속 조건을 만족하도록 공핍영역의 2차원 전위 분포 식을 도출하였다. 또한 소도 포화영역의 길이를 채널 전체 길이, 채널 도핑 농도, 게이트 전압 및 드레인 전압의 함수로 도출하여 포화영역에서의 Early 효과를 보다 합리적으로 설명할 수 있음을 보이고 있다. -
GaAs MESFET를 이용한 초고주파 증폭기에 관한 연구
대한전자공학회 電子工學會誌 1976, Vol.13 No.5 1-8 (8 pages)
(MESFET) with the gate-length of two micrometers are investigated. The scattering parameters of the transistors have been measured from 1GHz to 2GHz by Hp8545 Automatic network analyzer. From the measured data, an equivalent circuit is established which consists of an ntrinsic and. extrinsic transistor elements. In this paper, GaAb MESFET Amplifier is used in conjunction with conventional microstrip techniques to match into a 50 ohms high input/output impedances system. We found that Power gain... -
Optically Controlled Silicon MESFET Fabrication and Characterizations for Optical Modulator/Demodulator
Chattopadhyay. S.N., Overton. C.B., Vetter. S., Azadeh. M., Olson. B.H., Naga. N. El 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 12 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2010, Vol.10 No.3 213-224 (12 pages)
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Optically Controlled Silicon MESFET Modeling Considering Diffusion Process
Chattopadhyay. S.N., Motoyama. N., Rudra. A., Sharma. A., Sriram. S., Overton. C.B., Pandey. P. 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 13 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2007, Vol.7 No.3 196-208 (13 pages)
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4H-SiC Planar MESFET for Microwave Power Device Applications
Na. Hoon-Joo, Jung. Sang-Yong, Moon. Jeong-Hyun, Yim. Jeong-Hyuk, Song. Ho-Keun, Lee. Jae-Bin, Kim. Hyeong-Joon 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 7 Pages
대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science 2005, Vol.5 No.2 113-119 (7 pages)