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DC magnetron sputtering 방법으로 형성한 Indium-Tin-Oxide(ITO) 박막의 특성 연구
안명환, An. Myung-Hwan 한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 6 Pages
한국해양정보통신학회 한국해양정보통신학회논문지 2006, Vol.10 No.3 473-478 (6 pages)
DC 마그네트론 스퍼터링 방법으로 ITO 박막을 형성하였다. 박막 형성 시 스퍼터 전압을 변화시켜 음이온에 의한 손상을 최소화하였으며, 또한 기판온도와 산소유입량을 변화시켜 비저항 $1.6 imes10^{-4}{Omega}cm$, 광투과도 90% 이상의 값을 갖는 양질의 박막을 형성 할 수 있었다. 박막 형성 시 $O_2$ 가스의 유량이 4sccm 이상으로 산소공급이 과다할 경우는 ITO 박막의 비저항이 증가하고, 광 투과도가 포화됨을 알 수 있었다. -
Pulsed Magnetron Sputtering Deposit ion of DLC Films Part I : Low-Voltage Bias-Assisted Deposition
Oskomov. Konstantin V., Chun. Hui-Gon, You. Yong-Zoo, Lee. Jing-Hyuk, Kim. Kwang-Bok, Cho. Tong-Yul, Sochogov. Nikolay S., Zakharov. Al 한국표면공학회 한국표면공학회지 7 Pages
한국표면공학회 한국표면공학회지 2003, Vol.36 No.1 27-33 (7 pages)
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Effect of Ga-doping on the properties of ZnO films grown on glass substrate at room temperature by radio frequency magnetron sputtering
김금채, 이지수, 이수경, 김도현, 이성희, 문주호, 전민현, Kim. G.C., Lee. J.S., Lee. S.K., Kim. D.H., Lee. S.H., Moon. J.H., Jeon. M.H. 한국진공학회 韓國眞空學會誌 6 Pages
한국진공학회 韓國眞空學會誌 2008, Vol.17 No.1 40-45 (6 pages)
유리기판 위에 약 500 nm 의 두께로 성장된 ZnO층의 구조적, 광학적, 전기적 성질에 미치는 갈륨도핑의 영향에 대하여 연구 하였다. 다결정 ZnO 와 GZO 층은 상온에서 radio frequency magnetron sputtering 법을 사용하여 성장되었다. 투과전자현미경 (TEM)과 x-ray 회절분석 (XRD)에 의하면, 갈륨이 도핑된 ZnO 박막의 결정성은 ZnO에 비하여 향상되었고 (002)방향을 따라 우선성장 되었음이 발견되었다. GZO 박막의 투과도는 가시광 영역에서 ZnO 박막에 비해 약 10% 정도 향상된 것으로 나타났다. PL 분석에 따르면, NBE emission... -
Low Temperature Deposition of the $In_2O_3-SnO_2$, $SnO_2$ and $SiO_2$ on the Plastic Substrate by DC Magnetron Sputtering
Kim. Jin-Yeol, Kim. Eung-Ryeol, Lee. Jae-Ho, Kim. Soon-Sik 한국정보디스플레이학회 Journal of information display 5 Pages
한국정보디스플레이학회 Journal of information display 2001, Vol.2 No.1 38-42 (5 pages)
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Implementation of High Carrier Mobility in Al-N Codoped p-Type ZnO Thin Films Fabricated by Direct Current Magnetron Sputtering with ZnO:Al2O3 Ceramic Target
Jin. Hujie, Xu. Bing, Park. Choon-Bae 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 5 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2011, Vol.12 No.4 169-173 (5 pages)
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The Electrical and Optical Properties of Al-Doped ZnO Films Sputtered in an Ar:H2 Gas Radio Frequency Magnetron Sputtering System
Hwang. Seung-Taek, Park. Choon-Bae 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2010, Vol.11 No.2 81-84 (4 pages)
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PL Property of Al-N Codoped p-type ZnO Thin Films Fabricated by DC Magnetron Sputtering
Liu. Yan-Yan, Jin. Hu-Jie, Park. Choon-Bae, Hoang. Geun-C. 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2009, Vol.10 No.3 89-92 (4 pages)
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Analysis of Photoluminescence for N-doped and undoped p-type ZnO Thin Films Fabricated by RF Magnetron Sputtering Method
Liu. Yan-Yan, Jin. Hu-Jie, Park. Choon-Bae, Hoang. Geun C. 한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 4 Pages
한국전기전자재료학회 Transactions on electrical and electronic materials 2009, Vol.10 No.1 24-27 (4 pages)
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Effect of Annealing on a-Si:H Thin Films Fabricated by RF Magnetron Sputtering
김도윤, 김인수, 최세영, Kim. Do-Yun, Kim. In-Soo, Choi. Se-Young 한국재료학회 한국재료학회지 6 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2009, Vol.19 No.2 102-107 (6 pages)
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Magnetron sputtering 법으로 제조된 Al-1%Cu/Tungsten Nitride 다층 박막
이기선, 김장현, 서수정, 김남철, Lee. Gi-Seon, Kim. Jang-Hyeon, Seo. Su-Jeong, Kim. Nam-Cheol 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 2000, Vol.10 No.9 624-628 (5 pages)
표면 탄성과 디바이스의 전극재료로 사용되는 Al-%Cu(4000$AA$)/tungsten nitride 박막을 magnetron sputtering 법으로 제조하고 전기저항을 평가한 비정질상의 tungsten nitride 박막을 제조할 수 있었고, 비정질 형성을 위해 질소비(R =$N_2$/(Ar+$N_2$)가 10~40% 정도 필요하다. Tungsten nitride 박막의 잔류응력은 비정질이 형성되면서 급격히 감소되었다. 이러한 비정질 박막위에 Al-1%Cu 합금막이 형성되었다. 다층막은 453K에서 4시간 동안 열처리함으로써 $3.6{mu}{Omega}-cm$의 저항을 나타냈는데, 이는 박막내 결정립 성장과... -
DC Reactive Magnetron Sputtering법에 의한 Ti-Al-V-N 박막의 성장거동
손용운, 정인화, 이영기, Sohn. Yong-Un, Chung. In-Wha, Lee. Young-Ki 한국재료학회 한국재료학회지 7 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1999, Vol.9 No.7 688-694 (7 pages)
Ti-6Al-4V 합금을 타겟트로 사용하여 유리 기판위에 dc reactive magnetron sputtering법으로 $N_2$/(Ar+N_2)$ 비, 기전력 및 시간등의 여러 가지 증착 조건에서 Ti-6Al-4V-N 필름을 증착하였고, 각각의 증착 조건에 따른 결정구조 및 우선방위 거동은 X-선 회절장치를 사용하여 조사하였다. Ti-6Al-4V-N 필름은 본질적으로 fcc 결정구조의 $delta$-TiN에 Al과 V이 결함으로서 고용된 변형된 형태의 $delta$-TiN구조이고, TiN의 격자상수(4.240 )보다 작은 값을 나타내었는데, 이는 Ti(1.47 )에 비하여 상대적으로 원자반경이 작은... -
RF Magnetron Sputtering 으로 제작된 Co-based MnSbPt 합금박막의 자기광학적 성질
윤현묵, 홍연기, 이경재, 김종오, Yun. Hyeon-Muk, Hong. Yeon-Gi, Lee. Gyeong-Jae, Kim. Jong-O 한국재료학회 한국재료학회지 5 Pages
한국재료학회 한국재료학회지 1998, Vol.8 No.3 195-199 (5 pages)
R.F. Magnetron Sputtering 법으로 Co를 base로 MnSbPt 합금박막의 최적 열처리 조건은 $300^{circ}C$-4시간 이었으나, 종래의 MnSbPt 합금박막의 경우와 같이 수직자화막은 얻을 수 없었다. 보자력은 Co의 두께가 $250AA$에서 최대를 나타냈으나 약 500 Oe이하로 실용적 측면에서 불충분 하였다. 진공중에서 $300^{circ}C$ 4시간 열처리한 합금박막의 경우, 700nm의 입사파장에서 약 $0.78^{circ}$에 이르는 Kerr 회전각을 보이므로 고보자력을 지닌 수직자화막을 제조할 수 있다면 우수한 차세대 고밀도 자기 기록매체로서 유망하다.